BIOS内存优化方法
(编辑:jimmy 日期: 2024/11/19 浏览:3 次 )
BIOS内存优化方法
在计算机中的重要性和地位内存是仅次于CPU,它的质量对计算机性能的一个至关重要的影响。为了充分发挥潜在的内存,内存相关的参数必须在BIOS设置调整。以下研究萧边稍年长的英特尔奔腾III赛扬II处理器英特尔815e / 815ep芯片,通过(通过)694x芯片组和支持AMD雷鸟(Thunderbird)和杜龙(钻龙)通过kt133 / 133a芯片组主板处理器,如何在最常见的Award BIOS 6优化内存设置。为早期芯片组的主板和BIOS版本较低的奖,其内存设置相对较少,但设置方法介绍R也适用。英特尔815e / 815ep芯片组主板
下面的内存设置一般包括在高级芯片组功能(高级芯片组功能)设置页面的这类主板BIOS中。
用SPD设置SDRAM定时(根据SPD确定存储器定时)
可选项:禁用,已启用。
SPD(串行存在检测)是存储棒上的一个小芯片,它存储存储条的工作参数信息。如果使用高质量的品牌内存,可以通过SPD设置DRAM定时以启用,因此不需要设置下面介绍的BIOS内存参数。该系统将根据SPD中的数据自动确定存储器的运行参数,某些兼容的存储器是空的,或者认为某些存储器的SPD参数是保守的。如果我们想挖掘潜力,我们可以将参数设置为禁用。在那时,我们可以调整以下内存参数。
CAS延迟时间(内存CAS延迟时间)
可选:2, 3。
内存CAS(列地址选通,列地址选通脉冲)延迟时间控制、SDRAM存储器接收到一个数据读取指令,多少个时钟周期来等待指令的实际执行。同时,参数也决定要求完成记忆中的突发传输第一部分的时钟周期数。较小的参数,更快的记忆。在133MHz频率、质量兼容的内存是在CAS = 3。CAS = 2的运行会使系统不稳定,数据丢失,甚至无法start.cas延迟时间对计算机内存参数性能的重要影响,比较大,英特尔通过PC133内存规范的差异与相关参数,英特尔PC133内存应该能够运行在133mhz频率稳定,CAS = 2、通过PC133内存,可以稳定运行在133MHz频率不能。指定CAS的值,所以英特尔的标准更严格,只满足品牌内存的规格,所以我们觉得英特尔主板更能挑选内存。
SDRAM周期TRAS / TRC(内存清理/ TRC时钟周期)
可选项:5 7, 7 9。
该参数用于确定该SDRAM内存线激活时间的时钟周期数和周期时间。Tras代表SDRAM线活化时间(行活动时间),这是需要进行数据传输的连续打开单元的时钟周期数。TRC代表SDRAM线周期时间(行周期时间),这是所需的时钟周期数的全过程,包括线路单元开行单元刷新。性能最佳的考虑这个参数可以设置为5 / 7,那么内存的速度更快,但也可能是由于缺乏对数据传输单元开放时间的影响,SDRAM内存的工作频率高达100MHz的特别,甚至记忆的大多数品牌不可能经得起如此严酷的环境。
SDRAM ras-to-cas延迟(内存行地址被传送到列地址的延迟时间)
可选:2, 3。
这个参数可以控制SDRAM的行地址选择脉冲之间的延迟(RAS,行地址选通)信号和列地址选择脉冲信号。当阅读,写作,或刷新SDRAM,有必要插入一个脉冲间延迟时钟周期。这个参数可以优化性能设置为2,和参数可以在系统无法稳定运行设置为3。
预充电时间(存储器线路地址选择器脉冲预充电时间)
可选:2, 3。
这个参数可以控制所需的时钟周期数对SDRAM的行地址选择预充电充电刷新操作。设置预充电时间2可以提高SDRAM的性能,但是如果2个时钟周期的预充电时间不够,SDRAM将无法维持数据由于无法完成刷新操作。
在15m-16m记忆洞(在15m的记忆保留区16m)
可选项:禁用,已启用。
一些特殊的ISA扩展卡的操作需要使用内存区位于1500万至1600。此参数设置为启用,和内存区域用于这样的ISA扩展卡。由于PC 99规范不再支持ISA扩展槽,一种新型的主板一般不是一个ISA插槽,所以这个参数应该设置为禁用。
系统内存频率(系统内存频率)
选项:自动,100MHz,133mhz。
此设置实现内存异步运行管理function.auto:根据记忆的特点自动设置内存的工作频率;100mhz:设置内存到100MHz频率;133mhz:设置内存为133MHz频率。
内存奇偶校验/ ECC检查(内存奇偶校验/ ECC检查)
可选项:禁用,已启用。
如果系统采用ECC内存,该参数可以设置为启用,否则参数必须设置为disabled.ecc说的错误检测和纠正(错误检查和纠正)是一个高端的服务器存储功能,内存内存内存ECC功能实现系统的数据错误检测和校正的记忆或检测两位数据错误,ECC功能可以提高数据系统的稳定性和系统的完整性,这对于服务器尤其重要,但ECC可以造成一定的性能损失。
威盛芯片组主板
威盛芯片组主板通常比英特尔芯片组主板内存设置选项丰富。在这样一个主板BIOS的高级芯片组功能(高级芯片组功能)设置页面中,通常包含以下内存设置。
银行0 1, 2 3, 4 / 5 DRAM定时(内存速度设置)
可选项:涡轮(高速),快(快),中等(中等),正常(正常),SDRAM 8 10纳秒。
此选项用于设置内存的速度,对于SDRAM内存条,它被设置为SDRAM 8 10 ns。
SDRAM时钟(内存时钟频率)
可选:主机时钟,HCLK + 33m(或hclk-33m)。
此参数设置memory.host时钟异步运行模式表示,运行频率等于外频的内存系统,HCLK + 33m表示内存运行频率等于系统频率加33MHz,hclk-33m内存工作频率等于外频减去33MHz。如奔腾III 800eb BIOS,主机时钟和hclk-33m自动使参数选项,如果PC133内存的使用,参数设置为主机时钟PC100,如果可以使用的内存,参数设置为hclk-33m,所以它可以在PC100低内存使用使系统性能。内存异步功能使系统提高内存的兼容性更为明显是的,通过芯片更重要的功能。
银行交错(存储体交错)
可选:残疾人、讯、4-进。
记忆交织SDRAM内存刷新时钟信号和时钟信号可以读取和写入交错出现,这可以在CPU刷新记忆面到另一个存储器的读写来实现的,所以你不必花特别的时间刷新记忆面,CPU即将访问一个内存地址处在不同的存储内存,使CPU可以在脸上实现返回内存地址的一个记忆面面同时接收数据,导致管道的运行效果,提高SDRAM内存带宽。因此,有些人甚至认为启用内存交错来提高系统的性能比记忆潜伏期从3到2。
但是,内存交错是一种相对先进的内存设置选项。有一些主板芯片组使用通过694x。因为BIOS版本是旧的,有可能是没有设置项,可以对主板BIOS升级。如果在BIOS的最新版本还没有出现在设置,只有通过某些VIA芯片组内存交错银行开放软件,如wpcredit和相应的插件(可以从驱动之家网站下载北桥)修改寄存器,从而打开内存交错模式。
驱动强度(内存访问信号强度)
可选:自动,手动。
此选项用于控制内存访问信号的强度。在这个时候,芯片组以内存访问信号强度的控制和自动调整内存访问信号强度匹配的内存安装在计算机上。如果你需要超频或排除计算机故障,您可以将参数设置为手动,然后你可以手动调整SDRAM驱动价值(内存访问信号强度值)。
驱动程序值(存储器访问信号强度值)
可选:00到FF(十六)。
这个选项决定了内存访问信号强度值。重要的是要注意SDRAM驱动的值是有效的只有当SDRAM驱动强度选项设置为手动。SDRAM驱动值的范围是十六到00法郎,和更大的价值,对内存访问信号强度大。内存工作频率的敏感。当工作频率高于内存的标称频率,期权的价值越高,可以提高在超频状态的计算机的稳定性。虽然这种方法不增加内存的工作电压(有一些超频功能强大的主板,可以调整内存的工作电压),它仍然需要要小心,当提高SDRAM驱动值,以免造成内存条损坏。
快速读写:转身(快速读写转换)
可选:启用、禁用。
当CPU从内存读取数据并将数据写入内存时,通常会有额外的延迟。这个参数可以减少读写转换之间的延迟时间,该参数设置为启用,可以减少内存写-写转换的延迟,使记忆更快的读写状态状态。然而,如果记忆不能够实现快速读写转换,这将导致数据丢失和系统的不稳定,这些参数需要被设置为禁用。
注意:优化BIOS中的内存设置可能会对计算机操作的稳定性产生不利影响。因此,建议在测试内存优化后,我们必须使用测试软件来测试计算机的稳定性和速度。如果您对内存的性能没有信心,最好采取保守的设置。毕竟,稳定性是最重要的。如果计算机经常因内存优化而崩溃或重新启动或程序异常错误,只需删除cmos参数并将其设置为系统的默认值。
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